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電子產(chǎn)品裝聯(lián)過程可靠性熱點(diǎn)問題( 四)

2025-04-02 09:14:00
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黑焊盤現(xiàn)象

定義與特征

定 義 :化 學(xué) 鎳 金(ENIG Ni/Au)用作 PCB 或 BGA 基材表面涂層后,由于 Ni 被深度腐蝕或被氧化,在焊接中出現(xiàn)不潤濕或半潤濕現(xiàn)象或者焊接后易引起焊點(diǎn)斷裂,焊接面除金后呈現(xiàn)灰黑色“鎳面龜裂”形貌或者斷裂的鎳面呈灰黑色“泥漿”樣貌,簡稱“黑盤現(xiàn)象”?;瘜W(xué)鎳金(ENIG Ni/Au)鍍層結(jié)構(gòu)如圖 1-1 所示、典型的黑盤現(xiàn)象如圖 1-2 所示。


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圖 1-1 典型的 ENIG 鍍層結(jié)構(gòu)


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圖 1-2 黑焊盤典型特征

特征 :黑焊盤現(xiàn)象是化學(xué)鎳金(ENIG Ni/Au)表面處理方式特有的失效模式。由于 Au 層的多針孔性,擋不住氧化 Ni 的上、下生長而形成大片氧化物,嚴(yán)重時(shí)形成有腐蝕斑點(diǎn)穿過浸金表面底部的富P層延伸到Ni 層的大面積黑色焊盤。當(dāng)黑盤生成后,ENIG 的表面的金鍍層并沒有明顯的變色,容易給人造成焊盤的表面處理仍然良好的假象。當(dāng)出現(xiàn)黑色焊盤進(jìn)行焊接時(shí),作為可焊性保護(hù)層的Au 迅速溶解到焊料中去 , 而被腐蝕氧化了的 Ni 則不能與熔融焊料形成合金化,導(dǎo)致焊點(diǎn)可靠性嚴(yán)重下降,稍受外力即發(fā)生開裂。

形成機(jī)理: 

(1)在 ENIG Ni/Au工藝工程中,金液侵蝕鎳層,留下粗糙的富 P 層與釬料形成弱連接,在相當(dāng)小的外力作用下導(dǎo)致焊點(diǎn)斷裂或失效。如圖 1-3 所示黑焊盤切片,沒有 IMC 形成 ;如圖 1-4所示黑焊盤造成的典型焊點(diǎn)開裂。


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圖 1-3 黑焊盤切片典型特征,無 IMC 形成


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圖 1-4 黑焊盤造成的典型焊點(diǎn)開裂

(2)當(dāng)涂層過薄 Au 或者工藝過程參數(shù)控制不當(dāng)時(shí),就可能造成覆蓋在Ni 上的 Au 質(zhì)量低劣或厚度不足,存在大量的針孔,空氣中的氧(O)穿過這些針孔直接向底層的 Ni 侵蝕,導(dǎo)致黑焊盤形成。

解決措施

預(yù)防黑焊盤的形成,主要控制PCB 制造商表面鍍層處理、PCBA 組裝用戶端檢測(cè)及鑒定措施。

1)制造階段主要是要做好電鍍金液的維護(hù)以及工藝溫度的控制,使鍍層中的鎳磷比例處于最佳狀態(tài),一般鎳的比例控制在 9%~11%。酸性的金水也需要很好維護(hù),其腐蝕性過強(qiáng)時(shí)應(yīng)該及時(shí)調(diào)整 ;

2)對(duì)于PCBA 組裝用戶應(yīng)該采取如下方法 : 

① 首先,最好使用掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)焊盤的表面處理進(jìn)行表面觀察,主要檢查鍍金層是否存在裂紋,并用 EDS 分析鎳鍍層中磷的比例是否在正常范圍內(nèi) ;

② 其次,選擇典型的焊盤來手工焊接并測(cè)量其焊點(diǎn)的拉脫強(qiáng)度,異常小的拉脫強(qiáng)度證實(shí)可能存在黑焊盤 ;

③ 最后,對(duì) ENIG 樣品進(jìn)行酸性氣體腐蝕試驗(yàn),如果發(fā)現(xiàn)其表面長出粉末或變色,說明焊盤上的金鍍層有龜裂,也就說明有黑盤存在的可能。

偏析效應(yīng)

定義與特征

定義 :金屬合金中各部分化學(xué)成分的不均勻,稱為偏析。

特征 :在電子組裝焊接中,偏析是一種冶金過程發(fā)生的缺陷,由于焊點(diǎn)各部分的化學(xué)成分不一致,使其機(jī)械及物理性能減弱,影響焊點(diǎn)的工作性能和使用壽命。因此,在生產(chǎn)中必須防止合金在凝固過程中發(fā)生偏析。

形成機(jī)理

1) 焊接過程中 Pb 偏析形成機(jī)理在 SnPb 合金釬料選擇性擴(kuò)散中,其中只有 Sn 元素?cái)U(kuò)散,Pb 根本就不擴(kuò)散,這種擴(kuò)散叫做選擇擴(kuò)散。只有Sn 向母材(如 Cu)中擴(kuò)散,而 Pb不擴(kuò)散,殘留在界面上而形成 Pb 偏析,如圖 2-1 所示選擇性擴(kuò)散結(jié)合界面出現(xiàn) Pb 偏析現(xiàn)象。


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圖 2-1 選擇性擴(kuò)散結(jié)合界面出現(xiàn) Pb 偏析現(xiàn)象

出現(xiàn)選擇性擴(kuò)散時(shí),當(dāng)靠近Cu的Sn擴(kuò)散到Cu內(nèi)后,距 Cu 較遠(yuǎn)的 Sn 原子則由于 Pb 原子的阻擋減慢了擴(kuò)散速度。經(jīng)過一定時(shí)間后在靠 IMC 的附近就會(huì)形成富 Pb層而形成 Pb 偏析,成為應(yīng)力脆相區(qū)。如圖 2-2 所示在 Cu6Sn5IMC 附近出現(xiàn) Pb 偏析。

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圖 2-2 Sn 選擇性擴(kuò)散之后在 IMC 附近形成富 Pb 偏析

偏析對(duì)焊點(diǎn)可靠性的影響

1) 偏析少的微細(xì)金屬相均勻分布的釬料結(jié)晶組織是最佳狀態(tài),由于偏析等原因形成的低熔點(diǎn)脆性相,在低應(yīng)力下也會(huì)成為破壞的起點(diǎn) ;

2) 在高溫老化中,由于原子擴(kuò)散速率加快, 對(duì)于有鉛焊接制程形成焊點(diǎn),Sn 進(jìn)入金屬間化合物層,老化產(chǎn)生了一個(gè)緊挨著界面的 IMC 的連續(xù)的富 Pb 相區(qū)域,它提供了疲勞裂紋易于擴(kuò)展的途徑 ;

3) 在熱循環(huán)試驗(yàn)中,因?yàn)樵谠倭骱高^程中浸 Au 層會(huì)溶解于焊料中。界面上含 Au 量高形成的 AuSn4 層導(dǎo)致形成的 Pb 偏析,往往與富 Pb 區(qū)域相鄰,建立在相鄰于該層的局部富Pb 區(qū)的界面是不牢固的。缺陷有可能快速蔓延,沿著 AuSn4 金屬化合物產(chǎn)生斷裂。如圖 2-3 所示 Au 含量高形成的 AuSn4 層導(dǎo)致形成的 Pb 偏析引起焊點(diǎn)斷裂。

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圖 2-3 含 Au 量高形成的 AuSn4 層與富 Pb 區(qū)域相鄰

4) 黑焊盤斷裂之處也是由于富 P層引起的偏析,成為應(yīng)力的脆弱點(diǎn)。

解決措施 :

抑制焊點(diǎn)出現(xiàn)偏析的措施主要是:

1) 鉛焊接時(shí)一定要預(yù)防 Pb 污染;

2) 控制好焊接溫度,避免溫度過熱;

3) 控制好加熱時(shí)間,避免時(shí)間過長。

【本文轉(zhuǎn)自《一步步新技術(shù)》雜志,作者單位是上海正泰智能科技有限公司?!?


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